今日（7月27日），长鑫科技（SH688825，股价49.00元，市值3.28万亿元）登陆A股，成为市值“新王”。

　　长鑫科技是一家DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化企业，产能规模位居中国第一、全球第四。

　　然而，上市之后，摆在公司面前的道路或许并非一帆风顺。AI（人工智能）赛道的长期投资人、福州市拓锋私募基金管理有限公司管理合伙人林捷向《每日经济新闻》记者分析称：“存储是链路上的硬瓶颈，2028年前都是卖方市场。长鑫已经解决了生存问题，但能否在18个月内啃下HBM（高带宽存储芯片），决定了它未来能否成为全球存储新一极。”

　　唯一的国产规模化存储垄断打破者

　　在硬科技浪潮超级周期与DRAM繁荣周期的交汇点上，长鑫科技成为资本市场的焦点。

　　长鑫科技成立于2016年，目前拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia数据，按产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

　　长鑫科技本次计划使用募集资金295亿元，分别投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

　　财务数据显示，长鑫科技经历了一场“教科书级”的业绩爆发与反转。2023年度、2024年度，公司归母净利润分别为-163.40亿元和-71.45亿元；2025年度，公司归母净利润为18.75亿元，实现扭亏为盈；2026年一季度，公司归母净利润高达247.62亿元，单季盈利超越过往历史。

　　业绩爆发的背后，是长鑫科技产品技术的“跳代研发”与市场渗透。公司完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X，终端客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等头部企业。

　　对于长鑫科技的竞争优劣势，林捷进行了深度剖析。“长鑫科技的优势在于‘已经上岸’，是唯一的国产规模化存储垄断打破者。”

　　他分析称，目前长鑫科技的优势集中在三个方面：国产替代红利、产品具备性价比和财务爆发力。根据林捷的调研，长鑫科技的国内服务器/手机本土采购率提升，在消费级DDR5国内份额和服务器级出货领域都具备优势。同时，长鑫科技在中端产品的工艺良率、单位生产成本等方面均具备优势。

　　未来有四件事要做

　　同时，在林捷看来，长鑫科技仍面临三个方面的制约因素，分别是缺失EUV（极紫外光刻机）、HBM代差和纯DRAM布局。

　　他认为，对标国际龙头最先进的技术，长鑫科技的物理制程落后2代到3代。由于缺失EUV，公司被迫采用成本更高、物理天花板更低的DUV（深紫外光刻机）多重曝光方案。同时，长鑫科技的HBM也尚未成熟，并未进入利润“最肥美”的AI存储市场。

　　林捷表示，长鑫科技的纯DRAM布局缺乏NAND（闪存）和存控生态，抗下行周期风险能力较弱。

　　展望未来，林捷认为，长鑫科技可在四大方向发力。

　　首先是发动“HBM生死战”，在18个月内实现HBM3E 12层的规模化装车，与昇腾、寒武纪等国产GPU（图形处理器）深度绑定验证；其次是“绑定长协（SCA）”，趁当前周期高位，仿照美光与下游国内云巨头签下3年至5年的长协，锁定产能以对冲2028年可能的行业下行风险；三是“开辟第二曲线”，适时补齐NAND或CXL（计算快速链路）控制芯片，向综合性存储方案商演进，分散重资产折旧压力；最后是“深水区本土化”，将设备国产化率从目前的35%左右推向50%以上，并利用市场准入换取全球专利交叉授权。

　　此外，对于DRAM的周期，林捷分析，当前超级周期处于上行中段。三星、SK海力士、美光三巨头将70%至80%的新增产能倾斜给HBM和DDR5，导致常规颗粒供给严重收缩。目前原厂库存仅2周至4周，远低于10周的健康线。

　　对于未来的周期演进，林捷预测，2026年下半年至2027年，DRAM合约价格将维持高位震荡上行，但斜率会因下游调降配置而放缓；2028年前后，随着海外新厂（如美光ID1）产能爬坡完成、HBM良率提升释放通用产能，以及中国本土产能的大规模释放，供需关系将逆转并进入下行通道。

　　林捷强调，由于二级市场通常提前6个月至12个月的交易下行预期，2027年中期需警惕估值逻辑回归周期属性。

　　今日，《每日经济新闻》记者多次致电长鑫科技，希望就HBM的研发情况进行采访，但电话无人接听。