六九一二:GaN固态阵列与磁控管是现阶段高功率微波的两条主要技术路线
来源:证券日报
证券日报网讯 7月27日,六九一二在互动平台回答投资者提问时表示,GaN固态阵列与磁控管是现阶段高功率微波的两条主要技术路线,二者各有特点,面向不同的应用需求,更多是互补关系而非简单替代。磁控管属于电真空器件,单管即可实现吉瓦级高峰值功率输出,具有系统链路简洁、工程实现成熟、效费比高等优势,但波形和脉宽的可调范围相对有限,波束转向一般依赖机械转台。GaN固态阵列通过大量功放单元功率合成输出,采用相控阵电控扫描,可实现波束微秒级捷变,多目标响应速度快;同时也面临设备造价较高、通道合成存在损耗、长时间工作散热和供电负荷压力大等工程难点。实际应用中,两种技术路线通常根据具体需求搭配使用、相互补充。公司在高功率磁控管技术方面拥有多年的技术积累和自主知识产权,同时持续跟踪包括GaN固态阵列在内的国外各类技术路线发展动态。
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