7月29日，日韩股市高开低走。截至发稿，韩国KOSPI综指跌超6%，跌破5700点，跌至4月7日以来新低，自6月中旬9300点历史高点已跌近40%。SK海力士暴跌超10%，三星电子跌超5%。日经225指数跌超1.5%。

　　韩国交易所启动SIDECAR机制，暂停KOSPI程序化卖盘。

　　7月29日，SK海力士（000660.KS）公布2026年第二季度财报。该季度SK海力士营收79.32万亿韩元（约3696亿元人民币），同比增长257%，环比增长51%；营业利润60.54万亿韩元（约2821亿元人民币），同比增长557%，环比增长61%；净利润93.92万亿韩元（约4377亿元人民币），环比增长133%。

　　第二季度，SK海力士营业利润率为76%，净利润率为118%，现金及现金等价物则达到88万亿韩元，环比增加了33.6万亿韩元。该公司表示，在强劲的AI需求推动下，高价值产品销售带动公司季度业绩再创新高，上半年收入首次超过100万亿韩元。

　　具体产品中，SK海力士表示，HBM4（第六代高带宽内存）第二季度已实现大规模出货，下半年将持续扩大出货规模，HBM4E（HBM4增强版本）已向客户发送样品。DRAM（动态随机存取存储器）方面，SOCAMM2（专为AI服务器设计的新型内存形态）销量持续增长，基于1c工艺（10纳米第六代DRAM工艺）的产品量产稳步爬坡。NAND 闪存方面，该公司已在推动先进制程迭代，321层的NAND闪存市场占比持续提升，公司的目标是到今年年底321层产能可占公司本土NAND闪存总产能的50%左右。

　　SK海力士表示，随着大型科技公司加大对AI基础设施的需求，这些投资获得AI服务产生的收入支撑，预计存储需求的增长势头将持续下去。以需求展望为基础，SK海力士与十余家主要客户签订了长期协议，以确保中长期的稳定供应，多年期合同和技术创新解决方案的需求已有所增长。

　　作为对市场需求增长的回应，SK海力士在加速推进韩国忠清北道清州市DRAM生产基地M15X的量产。中长期的投资计划包括投入P&T7先进封装设施、M17 NAND生产基地和新半导体集群的开发项目建设，公司将根据客户需求及投资效益分阶段进行。

　　虽然SK海力士第二季度多项财务数据增长迅猛，但营业利润低于此前市场预测的约64万亿韩元，营收低于市场预期的约84万亿韩元。有分析指出，SK海力士未能达到分析师预期，是因为该公司在AI数据中心所用高端内存芯片领域的业务占比高于竞争对手，这意味着它在传统内存芯片价格强劲上涨时获益较少。这加剧了人们对推动半导体行业发展的AI热潮可能正在放缓的担忧。

　　美股7月28日，SK海力士（SKHY）跌8.98%，触及上市后股价新低。美股存储股也被带崩，闪迪跌逾14%，希捷科技、美光科技、AMD跌逾8%。

　　韩股SK海力士股价高点在6月22日，6月22日至7月28日，SK海力士股价已累计下跌46.9%。

　　每日经济新闻综合自第一财经、券商中国