2026年7月31日，科创芯片设计ETF国联安(588780)盘前上涨18.37%。

　　科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。

　　消息面上，当地时间7月30日，美股各大指数大幅上涨，半导体板块强势反弹。费城半导体指数涨8.19%，闪迪涨近26%，SK海力士涨超17%，西部数据涨超15%，AMD、Credo涨逾13%，英特尔涨逾11%。

　　跟随隔夜美股强劲涨势，7月31日，日韩股市集体拉升。日经225指数涨超4%。

　　本轮反弹具备坚实基本面支撑：美联储议息后首批经济数据落地，长端美债收益率承压回落，科技成长板块估值修复空间打开；同时全球 AI 算力需求持续爆发，DRAM、NAND 闪存订单加速回暖，行业库存去化周期接近尾声，存储芯片周期反转信号愈发明确。

　　风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

　　注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。