智能手机内存二季度价格环比涨超80%!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数上一交易日收盘大涨近5%,近30日净流入近20亿元
来源:每日经济新闻
7月31日,两市高开震荡,芯片设计概念上涨。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数收盘涨4.93%,成交额达2.43亿元;换手率达12.21%。成分股中,杰华特、帝奥微、芯原股份、盛科通信-U、芯朋微涨超5%,裕太微-U、国芯科技、睿创微纳等多股跟涨。
值得关注的是,Wind显示,科创芯片设计ETF天弘(589070)近3个交易日(2026年7月28日—2026年7月30日)实现连续“吸金”,最近30个交易日累计获资金净流入19.97亿元。截至2026年7月30日,该基金最新规模为18.41亿元,为同标的第一。
科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比高达96.1%,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金(A类:027574;C类:027575)。
消息面上,据《21世纪经济报道》,智能手机内存Q2价格环比涨超80%,DRAM已超越SoC成为旗舰机最贵单一元器件。
东吴证券指出,在AI算力需求爆发和国产替代共振下,芯片设计板块盈利弹性突出,尽管当前估值偏高,但EPS持续增长有望逐步消化估值风险,是把握硬科技结构性行情的关键配置工具。
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