据“SK海力士”微信公众号消息，8月4日，SK海力士宣布，公司联手闪迪共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。

　　HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。

　　此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1-3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖0.4TB/s至3.0TB/s。

　　此外，8月6日，SK海力士将与谷歌DeepMind、闪迪举行圆桌论坛，主题为“借助HBF突破内存墙”，聚焦AI基础设施中存储器结构的变革，重点探讨HBF的作用与未来潜力。

　　与此同时，SK海力士将在闪存峰会2026设立展台，展示战略合作专区、下一代存储技术及Tech Session等内容。值得注意的是，SK海力士将首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境。