新一轮反攻号角吹响,科创芯片设计ETF国联安(588780)、半导体ETF国联安(512480)双双涨超3%
来源:界面新闻
截至2026年8月4日 09:56,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨3.28%,盘中换手4.95%,成交5250.51万元。成分股芯朋微上涨8.78%,新相微上涨8.51%,思瑞浦上涨7.46%,芯原股份,杰华特等个股跟涨。
半导体ETF国联安(512480)上涨3.04%,盘中换手3.09%,成交5.87亿元。成分股思瑞浦上涨7.46%,长川科技上涨6.71%,芯原股份上涨6.47%,杰华特,华峰测控等个股跟涨。
科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比超九成,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中,成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。
半导体ETF国联安(512480)备受市场关注,是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF,一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类:007300;C类:007301)。
消息面上,存储芯片超级周期可能由原先预期的2028年延长至2029年至2030年。三星电子、SK海力士和美光虽正大幅增加AI相关产能投资,但从建设工厂、安装设备到形成实际产出通常需要3至5年,短期内供应紧张难以缓解。
国联民生证券指出,过去市场对存储板块的定价模式相对固化,资金始终博弈单轮价格上涨带来的阶段性利润峰值,一旦行情上行至高位便提前预判周期回落。但全球头部存储厂商经营策略全面调整,行业整体估值框架迎来系统性切换。
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