8月4日，SK海力士对外宣布，联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术高带宽闪存（High Bandwidth Flash 英文简称：HBF）的首个标准规范。
此次发布正值当地时间8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举办的“闪存峰会（Flash Memory Summit) 2026”（以下简称“FMS 2026”）开幕。SK海力士计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。
与此同时，长鑫科技等中国企业也正在积极推进新一代低功耗双倍数据速率内存标准产品落地，在DRAM赛道上奋起直追。
下一代存储技术高带宽闪存迎来首个标准规范
HBF是介于HBM（高带宽内存）和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。
此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe互联（一种用于不同半导体芯粒之间高速互联的开放式标准接口规范），为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。
此外，该规范涵盖互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。
该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。
SK海力士计划以此标准发布为契机，加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，SK海力士将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。
另据了解，SK海力士将在FMS 2026上设立展台，首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。SK海力士计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产。
SK海力士是在今年2月底与闪迪公司对外宣传正式启动HBF的标准化制定工作的。当时SK海力士表示，将与闪迪公司共同推动HBF成为行业通用标准，为整个AI生态系统协同发展奠定基础。
中外龙头竞逐LPDDR6新兴赛道
作为集成电路产业发展的战略基础性产品，存储芯片是数字经济时代的核心芯片之一。在存储芯片领域，最为熟知的包括DRAM（含HBM）这类易失性存储器和NAND 闪存这类基于Flash存储技术的非易失性存储器。LPDDR、DDR4/DDR5/DDR6，都属于DRAM 范畴，此次亮相的HBF则属于闪存范畴。
总部位于韩国的SK海力士是一家全球领先的半导体供应商，提供DRAM和NAND Flash等半导体产品。
就在此次HBF标准规范发布之前，SK海力士于7月29日发布了截至2026年6月30日的2026财年第二季度财务报告。公司2026财年第二季度营业收入为79.3187万亿韩元，营业利润为60.5426万亿韩元，净利润为93.9226万亿韩元。2026财年第二季度营业利润率为76%，净利润率为118%。(K-IFRS为准)
尽管利润同比实现数倍增长，但财报的核心数据低于各大机构此前给出的市场预估。受此影响，在财报发布的当天，SK海力士在韩股盘中一度暴跌超19%，全日收跌9.61%。之后数日尽管出现反弹，但截至8月4日上午11时15分时止，其股价相较今年6月创下的高点，已滑落约48%。
近日在A股上市的长鑫科技主攻DRAM赛道，是国内最大且唯一一家能够制造DDR5、LPDDR5和LPDDR5X芯片的厂商。有市场消息称，长鑫科技旗下的长鑫存储正在积极推进LPDDR6（第六代低功耗双倍数据速率内存标准）产品落地，并已向核心客户送样，有望2026年下半年发布并实现量产导入。
LPDDR相当于电子设备的“核心系统内存”，LPDDR6是固态技术协会（JEDEC）于2025年7月发布的第六代低功耗双倍数据速率内存标准，属于面向移动设备和人工智能应用的通用类内存规格，相关技术参数较上一代产品有明显优化提升。目前，SK海力士、三星均已公开了不同制程工艺的LPDDR6产品。
随着长鑫科技的进步，也意味着在全球LPDDR6的新兴赛道上，将迎来更多的竞逐者。
