组建HBF联盟6个月后，SK海力士与闪迪今日宣布，推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范。

　　近年来，AI行业正从“训练”阶段转向为用户提供实际服务的“推理”阶段，这大幅提高了对内存带宽和容量要求，HBF应运而生。

　　HBF是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的下一代存储技术，通过类似HBM的封装方式把多个NAND闪存芯片堆叠起来，形成兼具高带宽和大容量的存储层。

　　SK海力士官网数据显示，基于两种堆叠配置（8层和16层NAND芯片），HBF容量规格涵盖高达512GB,较HBM提升一个数量级；带宽分为三个等级（1级至3级），可提供从约0.4TB/s到3.0TB/s的可扩展性能。

　　闪迪官网数据显示，首代HBF目标参数包括：16-die堆叠、单堆栈512GB容量，1.6TB/s读取带宽，读取带宽可接近HBM水平，同时由于无需DRAM持续刷新，其静态功耗明显更低。

　　被称为“HBM之父”的韩国科学技术院金正浩认为，未来HBM和HBF将形成共存格局，类似于城市规划：“就像有百货商场，周围有复式公寓、普通住宅，各种形态的HBM、HBF组合在一起，形成复合体，向GPU供给数据。”

　　金正浩作出了一个明确的长期预判：“现在是HBM的时代，但10年后，NAND闪存和HBF的市场需求将超过HBM。”他还指出，目前正在开发HBF的公司包括SK海力士、闪迪、三星电子，以及日本的铠侠（Kioxia）。

　　不过，广发证券研报指出，HBF读取侧寿命约束相对较弱，而写入/擦除寿命是主要限制，更适合承接读多写少、可预取的数据层，如共享KV Cache中的部分历史块、以及部分权重/参数分片等；而时延最敏感、更新最频繁的数据仍应优先由HBM承接。