8月5日，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

　　存储芯片中，DRAM主要用于服务器、PC及移动设备的运算数据缓存，NAND闪存则用于数据存储。当前AI算力建设持续拉动HBM（高带宽内存）及服务器DRAM需求增长，海外存储大厂产能向AI高端存储倾斜，导致消费级产品供需错配加剧。据WSTS预计，2026年全球半导体市场增长90%，达到1.5万亿美元，主要由存储芯片驱动。

　　天风证券认为，本轮存储景气改善并非单一终端补库驱动，而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期修复共同作用的结果。随着AI算力建设持续推进，高端存储需求的重要性进一步提升，行业供需格局有望逐步改善。在需求结构升级与供给约束仍存的背景下，存储价格和产业链盈利能力有望保持较好韧性，行业景气度或延续修复趋势。建议关注存储模组、存储主控芯片、封测及上游设备材料等方向。

　　国元证券指出，2025-2027年，三大原厂HBM晶圆投入量占DRAM晶圆总投入量的比例将从18%提升至30%，HBM位元供应量占DRAM位元总供应量的比例将从8%提升至13%。全年全球PC出货量将下降11.3%，且情况将在第四季度进一步下滑，预计同比下降20%，原因系内存的持续短缺，且预计在2027年缓解的可能性较小。