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发表于 2026-08-05 13:18:00 股吧网页版
涨停潮!存储芯片引爆盘面!全球AI算力部署提速
来源:券商中国


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  存储芯片概念股再度异动!

  今日(8月5日),A股存储芯片概念股大幅走高,江化微、时空科技、博杰股份、中巨芯等直线拉升涨停,中微公司、兆易创新、江波龙、佰维存储等纷纷冲高。截至午盘,存储芯片板块整体涨幅超过6%,涨停或涨幅超过10%的个股接近30只。

  当天,在韩国证券市场上,SK海力士涨超6%,三星电子涨近4%。隔夜,美股存储概念股集体大涨,闪迪涨超10%,美光科技涨超7%,SK海力士ADR涨超8%。

  市场分析人士认为,存储芯片板块走强主要受基本面驱动。全球AI算力部署提速,持续拉动DRAM需求,当前供给缺口未见收窄,行业量价齐升势头明确,头部厂商盈利屡超预期。多家研究机构预判,DRAM供不应求格局将至少延续至2027年。

  存储芯片概念股拉升

  投资者再度押注人工智能(AI)交易。今日,亚太市场存储芯片概念股集体走高,截至12:00,SK海力士涨6.85%,三星电子涨3.96%,铠侠控股涨6.26%。

  A股存储芯片股也大幅拉升。截至午盘,通达信存储芯片指数涨幅超过6%,中巨芯、正帆科技20%涨停,江化微、有研新材、时空科技、博杰股份、中京电子、沃格光电、大为股份、康强电子等10%涨停,中微公司、有研硅、金太阳等涨超13%,拓荆科技、恒烁股份、西安奕材、长川科技等涨超10%, 普冉股份、屹唐股份涨超9%,兆易创新、江波龙涨超7%,佰维存储、南亚新材涨近7%,德明利涨超5%。

  根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2027年存储器需求仍由AI应用主导,DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲,CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加,市场维持供给紧张格局,价格走势偏强。

  TrendForce集邦咨询指出,2026年DRAM供应与需求位元的差距(sufficiency ratio)落在-1%至-2%之间,2027年由于需求增速超越供给增速,供需缺口将进一步扩大。不过,NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下,2027年下半年供给将趋向宽松,价格可能面临修正压力。

  行业龙头公司对存储市场的预测则更加乐观。三星电子近日在业绩电话会上表示,随着AI基础设施资本开支持续增加以及AI智能体的快速普及,服务器DRAM、企业级固态硬盘(eSSD)和高带宽内存(HBM)的需求增速有望进一步加快。

  三星电子指出,考虑到从新建晶圆厂到实际晶圆生产的周期超过三年,新增供应量在2028年之前难以出现显著增长。根据当前客户需求,今年的未满足需求将延续至明年,供应短缺局面预计将持续到2028年,2027年的供应限制甚至将比2026年更加严峻。

  国泰海通证券认为,受AI数据中心投资高景气带动,DRAM、HBM等存储产品需求持续旺盛,三星电子、SK海力士2026年第二季度业绩均创历史新高。AI存储供需紧张推动存储厂商业绩快速释放,后续扩产和技术升级节奏有望进一步加快,带动半导体设备需求持续上行。

  机构:长鑫存储增速迅猛

  日前,根据Counterpoint Research发布的《全球内存追踪报告》,三星电子在2026年第二季度重夺DRAM市场头把交椅,市场份额扩大至39%,达到2024年以来的最高水平。SK海力士、美光科技紧随其后,市场份额分别为26%、25%。

  值得关注的是,上述报告指出,2026年第二季度,长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商,营收同比增长716%,主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张。Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah表示,2026年下半年,如果长鑫存储能够扩大产能,满足国内外市场需求,那么一年后其市场份额将大幅增长。

  报告称,DRAM需求持续超过供给,因为一轮又一轮的AI应用浪潮推动了先进计算基础设施的部署。这既提升了用于CPU的传统DRAM需求,同时也加速了GPU中下一代高带宽内存(HBM)的采用。

  在评论三星电子的表现时,Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示:“三星克服了所有障碍,在业绩上实现了较去年同期的出色反转。公司受益于传统DRAM的强劲需求和价格上涨,同时在HBM领域也在扩大份额。展望未来,随着2026年第三季度预期中的进一步涨价,三星电子的盈利有望继续增长。”

  报告指出,2026年第二季度,传统DRAM价格环比大幅上涨,而HBM价格同比则有所下降。HBM平均价格下降尤为明显,原因是现有HBM3E产品价格下跌,以及HBM4的推出延迟。然而,相对较低的HBM价格预计将在明年随传统DRAM价格上涨后大幅回升。

  兴业证券最新发布的研报指出,行业供需持续紧张,推动DRAM价格持续上行。DRAM方面,测算2026—2028年,DRAM总需求分别为52EB、69EB、98EB,DRAM总供给分别为50EB、67EB、97EB,2026—2028年DRAM供需缺口分别为-4.38%、-2.98%、-1.48%。在AI需求增长以及供需关系持续紧张的驱动下,存储产品价格的上涨周期有望贯穿2026年全年。

  上述券商表示,随着AI训练和推理对算力需求的快速增长,数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求快速增长,行业景气度持续提升。长鑫存储作为国内DRAM存储龙头公司,深度受益于此次存储超级周期,通过产能加速扩张和产品持续迭代,有望实现份额进一步提升。

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