8月5日，芯片板块延续修复反弹。半导体设备ETF招商（561980）开盘直线拉升，截至发文，其大幅上涨5.13%。中微公司、中科飞测、寒武纪、华峰测控大涨超6%，长川科技涨超7%，拓荆科技、中芯国际、北方华创等多股涨超4%。

　　数据显示，该ETF跟踪的中证半导指数在7月28日至8月3日累计下跌超26%，短期急跌后多家权重股估值迅速回落21%-29%。同时第一大权重中微公司预计2026年上半年归母净利润将同比增长282%-311%，业绩基本面支撑强劲，板块配置价值或较前期“顶部过热”阶段明显回升。

　　消息面上，顶级行业盛会今日开幕。第27届电子封装技术国际会议（ICEPT 2026）于8月5日至7日举行，这是亚洲规模最大、学术水平和产业影响力兼具的电子封装领域国际盛会之一，将集中展示先进封装设备、材料、测试解决方案等前沿成果，催化效应不容小觑。

　　海外方面，8月4日，SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）的全球首个标准规范，谷歌与Tenstorrent也加入了HBF联盟。HBF是定位于HBM与SSD之间的新型存储层级，兼具接近HBM的高速数据传输能力与NAND闪存的大容量可扩展性。业内分析认为，存储技术的代际革新，有望直接拉动先进封装、测试等设备需求。

　　此外，Counterpoint Research 8月4日发布2026年第二季度全球DRAM市场报告，三星以39%份额重回榜首；SK海力士份额从去年同期的39%降至26%；美光以25%紧随其后。长鑫科技以7%的市占率稳居全球第四，第二季度营收同比增长716%，成为全球增长最快的DRAM供应商。

　　据悉，长鑫科技7月27日登陆科创板后，扩产节奏明确——2026年二季度已正式开启设备招投标，全年计划扩产5万至6万片晶圆，对应设备采购需求达50亿-60亿美元。存储产能扩张有望直接拉动刻蚀、薄膜沉积、测试等半导体设备需求。

　　据华鑫证券，目前长鑫存储LPDDR6芯片已基本完成研发验证阶段，接近正式量产，在三星、美光重心转向HBM期间紧抓“空窗期”机遇，预计2028年底长鑫全球DRAM产能占比有望提升至17%左右。

　　资料显示，半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导指数，100%聚焦中微公司、北方华创、拓荆科技、安集科技等设备材料龙头（80%）和寒武纪、海光信息、中芯国际3家设计/制造企业（20%），“长鑫存储”概念含量近60%。截至7月31日，该指数前十大集中度（80%）、近一年涨幅（142%）、2020年至今涨幅（445%），在科创芯片、半导体材料设备等同类指数中均居第一。