8月5日，A股超节点、服务器、先进封装等概念走强，最高涨幅可达20%的科创芯片设计ETF永赢（589420）存储+算力含量超60%。

　　消息面上，8月4日韩国某存储龙头发布消息称，其将联手另一存储龙头共同发布下一代存储技术HBF的首个标准规范，计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。另外，近日多家存储巨头集体交出了创历史新高的季度业绩，标志着存储芯片“超级周期”仍维持在高景气度的运行轨道上。

　　据业内分析，存储股价涨跌与晶圆厂的扩产态度密切相关。只要晶圆厂没有缩减设备预算、推迟建厂、取消采购订单，设备板块的基本盘就依然稳固。存储吃紧将延续至2027年。

　　据《科创板日报》等媒体报道，存储三大原厂（三星、SK海力士、美光）2027年的DRAM与高频宽存储（HBM）产能已提前售罄，NAND闪存产能预计在2026年8月底前也将被预订完毕，无论是否签订LTA长期合约，各方买家均配合原厂的提前预付订金模式，这预计将应验2027年成为“存储最缺一年”的看法。

　　科创芯片设计ETF永赢（589420）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数算力含量超55%、存储芯片含量超28%。截至2026年8月4日，指数前十大成分股权重合计达65.3%，前十大权重股分别包括海光信息、澜起科技、寒武纪、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、盛科通信-U、晶晨股份、普冉股份、东芯股份，涵盖国产存储芯片、GPU、算力龙头（数据来源：wind，个股仅作指数前十大权重股举例，不构成投资建议）。

　　注：存储与算力含量数据来自wind，截至2026/8/4，计算方式为上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）指数成分股占对应行业指数/热门概念指数含量加权占比。对比的指数为算力（399363.SZ）、存储芯片（980138.CNI）。