8月5日，三大指数集体上涨，截至发稿，上证科创板芯片设计主题指数上涨4.18%，该指数成分股中，裕太微上涨近10%，芯朋微上涨超9%，杰华特与普冉股份上涨超8%。

　　消息面上，据财联社援引报道，业界人士指出，近期原厂已完成2027年全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

　　另根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

　　天风证券表示，AI算力建设催生结构性需求增量，驱动存储行业规模高景气扩张。在AI算力基础设施与智能终端需求共振下，存储行业自2024年以来整体修复，DRAM与NANDFlash市场规模均较低点明显回升，行业景气度维持较好表现。

　　科创芯片设计指数（950162）100%聚焦于芯片设计环节，其中数字芯片设计权重高达76.83%，模拟芯片设计占比17.68%，两者合计超过94.51%。截至2026年Q1，该指数归母净利润同比增长260.14%，营业收入同比增长58.72%，显示出极高的成长性。

　　从指数表现来看，Wind数据显示，截至8月4日，科创芯片设计指数近一年涨幅达64.86%。

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