盘面上，两市低开高走，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨6.23%，成交额达1.24亿元；换手率达6.42%。成分股中，普冉股份、裕太微-U、杰华特、芯朋微、东芯股份涨超5%，纳芯微、乐鑫科技、芯原股份等多股跟涨。
科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入14.16亿元。截至2026年08月04日，该基金最新规模为18.72亿元，为同标的第一。
此外，芯片ETF天弘（159310）最近30个交易日累计获资金净流入3.11亿元。截至2026年08月04日，该基金最新规模为13.14亿元。
科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达64.86%，其行业配置主要包括半导体（94.56%）、军工电子Ⅱ（4.71%）、软件开发（0.74%）等，前五大成分股为海光信息、澜起科技、寒武纪、佰维存储、芯原股份。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。
此外，芯片ETF天弘（159310）紧密跟踪芯片产业指数，该指数近一年涨幅达75.66%，其行业配置主要包括半导体（96.01%）、电子化学品Ⅱ（1.94%）、光学光电子（1.08%）等，前五大成分股为寒武纪、北方华创、中微公司、海光信息、兆易创新。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：012552；C类：012553）。
科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。
消息面上，据东方财富，三大原厂2027年DRAM与HBM产能已提前售罄。
东吴证券认为，AI算力爆发正驱动存储芯片进入超级景气周期，HBM供不应求将推动Server DRAM合约价持续上涨至2027年，同时3D DRAM商业化在2026-2027年迎来放量，端侧AI大模型激发了对高带宽低成本存储的新需求。国产存储崛起也加速了技术迭代，长鑫存储的上市将推动DRAM产能扩张，带动产业链价值提升。
