8月5日早盘，芯片板块集体拉升表现，杰华特、中船特气盘中涨幅超9%，华虹宏力、海光信息、寒武纪、中芯国际均有不俗涨幅，受益成分股集体走强，科创芯片ETF富国（588810）盘中涨幅达4.5%；另外芯片ETF富国（516640）同步强势表现，盘中涨幅达4.43%；科创芯片设计ETF富国（589400）亦有不俗表现，盘中涨幅达4.03%。
科创芯片ETF富国（588810）跟踪科创芯片指数，该指数的选股范围聚焦于科创板芯片企业，芯片ETF富国（516640）跟踪中证芯片产业指数，该指数聚焦A股市场中芯片设计、制造、封装测试及设备材料等全产业链核心环节，覆盖半导体产业链中高“含芯量”的优质上市公司，具有半导体含量高、同类产品中流动性较好的主要优势。科创芯片设计ETF富国（589400）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI)，单日涨跌幅限制20%，指数超90%权重集中布局芯片设计环节，剔除重资产制造、封测企业，是科创板稀缺的纯芯片设计指数。
消息面上，AMD最新二季度财报超出市场预期，业绩上涨的核心驱动力来自数据中心板块；该板块单季营收达到67亿美元，同比大涨107%，增长受益于服务器CPU与AIGPU加速器销量的持续走高。而在今年7月，AMD再度上调行业空间预判，预估2030年AMD所参与的整体计算市场规模可达2万亿美元；其中AI加速器GPU赛道市场空间上调至1.4万亿美元，对比早前2028年5000亿美元的预测大幅抬升，足以窥见全球算力芯片需求的爆发速度。
此外，TrendForce集邦咨询研报显示，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，英伟达已调整RubinUltra平台HBM配置方案，高端存储需求重要性进一步提升，行业供需格局有望持续改善。
没有场内账户的投资者也可关注富国上证科创板芯片ETF联接（A类023651；C类023652）、富国中证芯片产业ETF联接（A类014776；C类014777）便捷参与。
