近日，中国电子科技集团下属中电海康集团有限公司预披露浙江驰拓科技有限公司拟增资信息。信息显示，本次拟募集资金金额、对应持股比例或股份数，以及拟新增投资方数量均将择优确定，募集资金将用于进一步完善国产新型存储产业化能力，加速自主可控存储技术规模化落地。

　　浙江驰拓科技有限公司（曾用名：浙江海康驰拓科技有限公司）成立于2016年1月，注册及经营总部坐落于浙江省杭州市临安区，公司搭建磁存储全链条业务体系，覆盖MRAM芯片器件设计、专属工艺开发、中试量产、嵌入式IP授权、行业终端解决方案供给，产品面向汽车电子、工业控制、物联网、航空航天等高可靠应用场景。

　　核心价值与优势

　　项目核心价值集中体现在前沿技术、产业资质、量产载体三个方面。

　　一是掌握两代MRAM自主成套工艺，突破稀缺的国产化替代技术壁垒。公司同时布局STT-MRAM、SOT-MRAM两条主流技术路线，自主研发无轨道SOT-MRAM原创器件结构并在国际顶级半导体会议IEDM公开发表，隧道磁电阻比、开关响应速度、芯片综合良率达到国际同类产品先进水平。旗下4Mb独立式MRAM已完成量产验证，通过AEC-Q100Grade1车规认证，支持-40℃~125℃宽温工况、万亿次擦写循环、10年高温数据留存，可适配车载、军工、工业极端使用环境，打破海外厂商在高可靠非易失存储领域的垄断格局。

　　二是自有完整研发生产载体，具备MRAM中试产线。公司自有50亩产业园区，配套3.4万m²标准化研发、洁净生产厂房，建成国内少数专用12英寸磁存储中试线，可提供90/40/28nm多工艺节点流片、测试、封装一体化配套服务。厂区配套完整的设备、检测实验室，无需投资方额外投入资金开展厂房、产线、试验平台建设，落地产业化周期大幅缩短。

　　三是多层级官方科创认定，知识产权储备充足。公司为2024年度国家级专精特新“小巨人”企业、2025年国家高新技术企业，入选工信部新型存储重点培育中试平台，配套国家级博士后工作站；累计持有400余项MRAM相关发明、实用新型专利，研发体系、试验能力均经主管部门核验，申报产业专项、科研项目具备资质优势。

　　当前国内半导体自主可控持续推进，MRAM被纳入国家集成电路重点扶持细分赛道；浙江、杭州市同步出台集成电路、先进存储产业专项补贴政策。叠加新能源汽车普及、高端制造升级、低空与航天产业扩容，高可靠新型存储市场需求持续增长。

　　项目基本信息

　　【项目名称】浙江驰拓科技有限公司增资项目

　　【所在地区】浙江省杭州市临安区青山湖科技城

　　【所属行业】计算机、通信和其他电子设备制造业

　　【控股股东】中电海康集团有限公司（持股50.807%）

　　【核心业务】MRAM磁性存储芯片设计、专属工艺开发、中试量产；嵌入式存储IP授权；半导体芯片测试、存储系统整体解决方案

　　【核心资质】国家级专精特新“小巨人”、国家高新技术企业、工信部重点培育中试平台、国家级博士后工作站、百余项磁性存储发明专利

　　【拟适配投资方】集成电路产业链企业、汽车电子整车及零部件厂商、工业自动化设备集团、航天军工配套企业、硬科技产业投资机构、半导体专项基金等。

　　来源：华新金控资产管理有限公司