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发表于 2026-08-06 06:54:20 股吧网页版
铌奥光电:完成数亿元B轮融资 全速推进“下一代”光芯片量产
来源:上海证券报·中国证券网 作者:仲茜

  上证报中国证券网讯(记者仲茜)记者8月5日从江苏铌奥光电科技有限公司(以下简称“铌奥光电”)了解到,公司刚刚完成数亿元B轮融资。本轮融资由高瓴创投、云锋基金、诚通科创、国开科创、沃赋资本、盛赫资本、观新光源、联想创投、南芯科创、粤财创投等多家投资机构参与投资,公司原有股东南京市创新投资、金浦资本、毅达资本、广州产投继续追加投资。公司表示,本轮融资将重点投向薄膜铌酸锂光芯片大规模量产,以及“下一代”AI光互联前沿技术开发,开启TFLN高速光互联应用新时代。

  当前,AI大模型拉动算力需求井喷,各地数据中心内部光互联正面临带宽、功耗、成本的三重挑战,光互联已成为算力瓶颈。然而,薄膜铌酸锂光芯片的出现,打破了这一瓶颈。薄膜铌酸锂光芯片凭借其优异电光调制性能与高集成度,成为业界公认的“下一代集成光电子核心技术”。

  据介绍,薄膜铌酸锂本质上是对传统铌酸锂材料的“芯片化改造”。传统铌酸锂虽然具备优异的线性电光效应、低光学损耗和高稳定性,但自身材料难以小型化和集成化。薄膜化之后,它在保留高速、低损耗、高线性度的同时,大幅提升了器件集成度和工艺一致性,能够支持800G、1.6T乃至3.2T的光模块需求。

  铌奥光电自2020年创立至今,始终专注于薄膜铌酸锂全栈技术的研究与开发,持续引领薄膜铌酸锂光芯片产品的演进与发展,成为全球极少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的领军企业。去年以来,公司已与多家全球头部科技企业达成战略合作,逐步实现用于AI集群Scale out短距光互联的800G/1.6T/3.2T IMDD光芯片,用于AI集群Scale across和电信骨干网长距光互联的800G/1.6T ZR相干光芯片,以及67/110 GHz超高带宽强度调制器等高性能产品的规模化商业应用。

  国投证券投研分析师介绍,高端光电芯片产业上下游可以分为芯片原材料、晶圆生产、芯片封装、光模块产品四大板块。目前,国内光模块产业不少龙头公司都已布局薄膜铌酸锂高通量光芯片在研项目。他认为,此次铌奥光电新一轮融资落地,将加快行业迈向TFLN高速光互联时代。

  公开资料显示,铌奥光电成立于2020年7月,是一家专注于薄膜铌酸锂调制器及相关高端光芯片的设计、研发和销售的高科技企业。公司创始团队包含多名光电子领域的知名科学家和业界资深产业人士,核心团队在薄膜铌酸锂领域进行了长期的研究并取得重大技术突破,取得多项具有里程碑意义的研究成果,并成功开发了多款基于薄膜铌酸锂的高速光互连芯片及器件、专用电光调制器器件,产品可广泛应用于数据中心、通信网络、仪器仪表及自动驾驶领域。公司构建了基于薄膜铌酸锂的新一代光子芯片设计、制造和封装平台,具备大规模量产及交付能力,致力于为客户提供优异的产品与服务。

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