截至2026年8月6日 09:41，科创芯片设计ETF天弘(589070)成交1778.14万元。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)下跌1.54%。成分股方面涨跌互现，芯朋微领涨3.86%，天德钰上涨3.68%，盛科通信上涨2.73%。

　　截至8月5日，科创芯片设计ETF天弘(589070)近1周规模增长9352.69万元，近3月份额增长14.20亿份，实现显著增长。

　　资金流入方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)近23个交易日合计“吸金”3.57亿元。

　　芯片ETF天弘(159310)成交620.11万元。跟踪的中证芯片产业指数(H30007)下跌1.58%。成分股方面涨跌互现，三安光电领涨3.07%，盛科通信上涨2.73%，长电科技上涨2.10%；兆易创新领跌5.03%，佰维存储下跌4.80%，江波龙下跌4.36%。

　　截至8月5日，芯片ETF天弘(159310)近1周规模增长7329.76万元，近1月份额增长2300.00万份，实现显著增长。

　　资金流入方面，芯片ETF天弘(159310)近23个交易日合计“吸金”8442.50万元。

　　【产品亮点】

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

　　芯片ETF天弘(159310)跟踪中证芯片产业指数，反映芯片产业上市公司证券的整体表现。一键布局中国“芯”时代核心资产。

　　【相关产品】

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)，对应场外联接(A：027574；C：027575)。

　　芯片ETF天弘(159310)，对应场外联接基金(A：012552，C：012553）。

　　【热点事件】

　　三星展示业界首款zHBM架构概念模型

　　在2026年未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子首次官宣了两款革命性概念产品——zHBM和zNAND-O，均采用垂直折叠技术，将存储芯片的堆叠从传统的X-Y平面延伸至Z轴方向。

　　其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，通过最大限度地缩短处理器与内存间的数据传输距离，性能预计可达下一代HBM5的8倍，内存密度提升10倍以上，能效提升3倍，热阻降低逾50%。zNAND-O则定位端侧AI，提供4层和8层堆叠配置，以低延迟支持端侧设备处理大型模型。

　　两款产品量产时间预计分别在2029年和2028年前后。这一技术路线被市场视为三星在AI存储领域的“降维打击”，试图绕过HBM现有竞争格局，直接定义下一代3D存储范式。

　　【机构观点】

　　中信证券指出，AI正成为本轮全球半导体产业周期的核心驱动力，带动全球晶圆厂资本开支进入新一轮上行周期，预计2028年全球半导体设备市场规模将超2900亿美元。中国半导体产业景气度将受益于AI与国产化双重催化，预计2028年中国半导体设备市场规模有望接近1000亿美元。

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