高盛:内存短缺预计持续至2027年
来源:每日经济新闻
截至14:23,市场震荡反弹,同指数费率最低标的——科创芯片ETF(588290)下跌0.42%,支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF(513240)下跌0.68%。成分股方面,联芸科技上涨9.37%,思瑞浦上涨5.17%,迈富时上涨4.16%,华海清科上涨3.4%,恒玄科技上涨2.04%。
消息面上,高盛报告指出,内存短缺预计持续至2027年,不过市场对价格涨势产生分歧。多头认为HBM和DRAM订单已排至2027年,长期协议锁定了高利润;空头则认为价格涨速放缓,可能于明年二三季度见顶后回落,高利润率正促使客户重新设计芯片,英伟达或降低HBM堆叠,保守投资者已下调内存市盈率。
马斯克称需求增200%而供应仅增20%,苹果正测试长鑫内存以缓解压力。在AI软件方面,高盛认为并非全是输家,接近数据层的公司股价反弹,纯应用软件仍承压;开源模型成本不到闭源模型8%,企业倾向采用。此外,预计2027年超大规模数据中心35%资本支出靠债务融资,全球相关发债约4000亿美元,但1.4万亿美元的股票回购有望消化AI公司股票供给。
相关研究机构表示,存储行业正处于涨价周期,AI服务器与HBM需求持续挤占先进DRAM产能,三星、美光、SK海力士、铠侠等原厂通过长协锁定供给,导致供需缺口中期难以缓解,行业逻辑指向关注受益于存储涨价的原厂及模组厂,HBM与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会,以及企业级SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。
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