SK海力士全面启动HighNA EUV研发,引入相移掩模新材料
来源:每日经济新闻
截至13:06,市场震荡活跃,同指数费率最低标的——科创芯片ETF(588290)下跌0.34%。成分股方面,联芸科技上涨11.37%,思瑞浦上涨6.63%,纳芯微上涨5.65%。
消息面上,SK海力士正致力于推进其极紫外光刻(EUV)技术,以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径(High-NA)EUV设备,并于今年全面启动相关技术的研发。据悉,该公司已全面开始引入相移掩模(PSM)等新型材料,以提升EUV光刻性能。
相关研究机构表示,海外半导体设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束,主流前道、存储配套设备交付周期拉长至12~24个月,同时开启涨价,三星、SK海力士、美光等龙头扩产计划受制于设备供给瓶颈,迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。
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