8月11日晚间，光芯片龙头源杰科技公告称，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约42.68亿元（含土地出让金）。公告显示，项目拟在陕西省西咸新区沣西新城建设包含激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地，旨在突破产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模。

拟投资42.68亿元

加码高端激光器芯片

　　此次，源杰科技预计投资总额约42.68亿元（含土地出让金），拟购买土地使用权地块位于陕西省西咸新区，土地用地性质为工业用地，使用年限为50年，土地面积约126亩，具体投资方案将根据项目的实际规划批复、项目用地和环境容量等情况进行调整。

　　据介绍，该项目聚焦高速激光器芯片领域，把握数据中心市场发展的机遇，契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。依托源杰科技IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础，该项目旨在通过产能扩充与工艺优化，持续响应市场需求变化，提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。

　　源杰科技表示，项目建成后，将有助于公司把握市场增长机遇，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求，增强订单交付的稳定性与响应速度。

　　源杰科技主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司产品主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。在光通信领域中，公司主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源产品。

　　作为国内少数具备高速激光器芯片自主研发与量产能力的企业，源杰科技核心产品——用于硅光方案的大功率连续波（CW）激光器芯片，是800G、1.6T高速光模块乃至下一代CPO（共封装光学）技术的核心组件，也是解决数据中心内部海量数据高速、低功耗传输瓶颈的关键。

　　为匹配全球AI算力市场的扩张步伐，源杰科技此前已在进行产能扩张和国际化布局。公司拟投资约12.51亿元建设二期研发生产基地，同时已启动美国生产基地建设。

　　今年5月，源杰科技在年度业绩说明会上表示，公司持续加强设备投入，综合设备交付节奏以及调试等因素，预计产能将从今年底至明年逐步成长。美国建厂方面，今年主要是基础设施的建设及改造，以及设备的预定，为后续投产运营奠定基础，预计明年会陆续释放产能。

业绩增长提速

扩产节奏明确

　　业绩预告显示，2026年上半年，公司预计实现营业收入9亿元至9.5亿元，同比增长339.13%至363.53%；实现归母净利润6亿元至6.5亿元，同比增长1196.91%至1304.98%。源杰科技称，业绩增长主要是由于数据中心业务收入高速增长带动毛利率提升；同时，营收规模扩张摊薄固定成本，期间费用占比下降。

　　公司公告

　　回溯来看，2024年源杰科技尚处于亏损状态。2025年随着全球AI算力需求爆发，公司业绩实现“V形”反转，全年归母净利润达1.91亿元。进入2026年，公司上半年净利润预计可达6亿至6.5亿元，相当于2025年全年的3倍以上。

　　从行业层面看，数据中心市场需求持续扩张，带动光通信核心器件需求实现高速增长。银河证券在最新发布的研报中提到，AI领域资本开支大幅增长，推动光模块速率由800G向1.6T、3.2T迭代升级，光芯片在光模块中的价值占比显著提升；与此同时，EML、CW、硅光芯片供给持续偏紧，上游光芯片企业议价能力持续增强。

　　源杰科技近期接受机构调研时透露，公司的产品结构在电信市场和数据中心市场均持续不断地丰富、增长。“公司将紧抓国内算力基础建设发展窗口期，积极融入国内产业体系，以实现更大发展。”