《科创板日报》8月11日讯源杰科技今日（8月11日）晚间公告称，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约42.68亿元（含土地出让金）。

　　其公告显示，拟购买的土地使用权地块位于陕西省西咸新区，土地用地性质为工业用地，使用年限为50年，土地面积约126亩。项目建设期为24个月，项目拟在陕西省西咸新区沣西新城建设包含激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地。

　　同日（8月11日）晚间，其发布公告称，源杰科技董事会同步将2026年度授信额度调整为不超过60亿元（含境内外金融机构），为该公司固定资产投建与流动周转预留空间。

　　源杰科技在公告中称，项目聚焦高速激光器芯片领域，把握数据中心市场发展的机遇，契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。

　　依托公司IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础，旨在通过产能扩充与工艺优化，持续响应市场需求变化，提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。

　　该项目旨在突破公司现有产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模，推动高端产品规模化生产和产业化应用，进一步提升公司产品交付能力和市场竞争力。

　　项目建成后将有助于公司把握市场增长机遇，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求，增强订单交付的稳定性与响应速度。

　　源杰科技是国内少数具备磷化铟IDM全流程能力的光芯片企业，覆盖从MOCVD外延、晶圆工艺到自动化测试的全链条，产品横跨电信市场与数据中心市场。

　　该公司2026年半年度业绩预告显示，源杰科技预计营收9.0亿元至9.5亿元，同比增长339.13%至363.53%；归母净利润6.0亿元至6.5亿元，同比增长1196.91%至1304.98%。

　　同比来看，2025上半年，该公司营收2.05亿元、归母净利4626万元，这意味着，其一年之内盈利规模跨数量级跃升。

　　《科创板日报》记者注意到， 今年以来，源杰科技的产能紧俏情况备受市场关注。而上述公告亦非其年内首度披露的扩产计划。

　　此前，该公司于今年2月9日披露总金额12.51亿元的西咸二期投资建设项目（即：新建光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目），并使用9862.04万元超募资金加码50G光芯片产业化项目。

　　该公司接连扩产背后，是产能爬坡速度追不上订单增速。源杰科技在今年7月21日业绩交流会上对353家机构表示，产能扩张需经历“设备采购-到货-调试-验证”的长周期，前期产线爬坡后才便于预判后续扩产效率，未来产能释放节奏主要取决于设备到货节奏。

　　其表示，公司已根据客户需求提前规划设备采购与产能准备，并与部分模块厂商、CSP确定合作意向。

　　此外，源杰科技于同日（8月11日）晚间发布公告称，公司已于近日完成注册资本变更相关事宜，注册资本由8594.77万元增加至约1.245亿元，并将相应修订《公司章程》相关条款。

　　截至今日（8月11日）收盘，源杰科技报收于1351元/股，总市值682亿元。