存储芯片板块逆势走强 SK海力士涨4.70%
美东时间8月11日，在美股三大指数全线收跌的背景下，费城半导体指数当日收涨0.87%，存储芯片是其中表现最强的细分方向。
个股方面，SK海力士报141.65美元，涨4.70%，领涨板块；美光科技报868.52美元，涨0.87%。
美光高管：存储供需2027年将比2026年更吃紧
8月11日，在KeyBanc资本市场年度科技领袖论坛上，美光科技执行副总裁兼首席商务官苏米特·萨达纳表示，由于人工智能浪潮持续推高需求，而行业产能扩张步伐难以跟上，存储芯片市场的供应紧张态势预计将延续至2027年之后。
萨达纳透露，自美光科技最新财报发布以来，客户需求信号进一步增强，公司预计2027日历年度的供需格局“将比2026年更为吃紧”，且目前尚无法判断行业供给何时能与需求实现匹配。
萨达纳指出，对客户而言，“首要制约因素”在于DRAM本身，而非电力供应、房地产、数据中心容量或逻辑晶圆。他将供需失衡的部分原因归结于先进存储芯片制造工厂建设及产能爬坡的难度大、周期长。
SK海力士重启大连二号工厂产能提升50%
SK海力士的走强或另有催化。
8月11日，据报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。如果加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。
涨价增速放缓叠加扩产预期存储板块隐忧浮现
尽管美光高管释放了供需偏紧的信号，市场对存储板块的担忧并未消散。近期市场出现对于“存储行情”的担忧，主要由于：一是存储价格增速放缓；二是龙头厂商计划扩产。
价格方面，8月8日，伯恩斯坦最新发布的7月存储价格追踪报告显示，2026年第三季度DRAM与NAND闪存合约价格虽仍维持两位数增长，但涨幅相较第二季度显著收窄，本轮存储价格上行周期正逐步接近阶段性高点。IDC数据预测也指出，预计2026年第二季度后存储价格环比增速放缓。投资者开始重新审视持续涨价对厂商盈利能力的边际贡献，关注点从价格弹性转向成本传导效率与终端需求可持续性。
产能方面，全球龙头集体加码扩产，远期供给过剩预期升温。三星、SK海力士两大龙头厂商未来将在包括忠清地区在内的韩国本土合计投资超4755万亿韩元，发展半导体、物理AI、数据中心等产业。
