科创芯片ETF鹏华(588920)涨超2.8%,科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超2.8%,美股存储芯片大涨
来源:界面新闻
消息面上,隔夜美股存储芯片股大涨,SK海力士涨超9%,闪迪涨超5%,西部数据涨超3%,希捷涨超7%,美光科技涨超4%,国内方面,市场研究机构Counterpoint发布数据称,2026年第二季度NAND闪存市场以出货量计算,三星、SK海力士、长江存储的份额分别为25%、22%、14%,这是长江存储份额首次进入前三。
中信证券认为,全球主要存储公司股价6–7月的回调并非因为业绩疲软,更多是涨价增速见顶后市场担忧的集中释放。总的来看,相关公司Q2业绩整体表现强劲,伴随SK海力士、三星等产能切换,预计从今年下半年开始,NAND价格有望迎来新一轮上涨周期,建议关注相关投资机会。
截至2026年8月13日 09:46,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨2.87%,成分股源杰科技上涨7.26%,普冉股份上涨6.13%,寒武纪上涨5.82%,华虹宏力,燕东微等个股跟涨。科创芯片ETF鹏华(588920)上涨2.82%,最新价报1.2元。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.89%,最新价报1.14元。
科创芯片ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本,以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。
数据显示,截至2026年7月31日,上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中微公司、海光信息、中芯国际、寒武纪、澜起科技、拓荆科技、源杰科技、华海清科、华虹宏力、佰维存储,前十大权重股合计占比61.34%。
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