《科创板日报》7月25日讯（记者陈俊清）今日（7月25日），最重磅科创盛会——“2025中国科创领袖大会暨科创板开市六周年”正式开幕。本届大会由上海报业集团指导，财联社、《科创板日报》、上海长三角G60科创集团联合主办。

　　作为此次大会的重要组成部分，“2025科创领袖大会暨集成电路产业发展闭门会”备受瞩目，上海工研院总经理董业民发表了主题为《建设“超越摩尔”集成电路产学研创新平台和生态》的演讲。

　　董业民表示，随着摩尔定律逼近物理极限，超越摩尔集成电路产学研的创新发展和生态建设愈发关键。

　　董业民提到，上海为打造科创中心，搭建了诸多共性技术研发平台。当前，上海集成电路发展呈“一体两翼” 格局，张江作为核心主体人才聚集、产业链完善，临港也在全市支持下大力发展半导体制造，而位于嘉定的研究院则专注于汽车电子、医疗电子等超越摩尔的集成电路领域。

　　谈及创新，董业民表示，陈吉宁书记特别强调全过程创新。“早期在政府支持下，依托大学和研究所，鼓励高水平的大学研究所进行自由探索。到了后期，走向产业化阶段，则主要依靠企业，包括领军型企业以及中小型创业企业。”

　　从全球范围看，董业民表示，我国创新的主体在企业，但当前创新人才大多集中在体制内，与企业创新主体存在错位现象。推动体制内人才流向企业，但实现这一目标并非易事。

　　在集成电路制造工艺方面，董业民表示，当前两纳米工艺已实现量产，但背后投入巨大。而在另一方面，约80%的应用领域，如电力、储能、光伏、新能源汽车等，所需产品仅需成熟特色工艺。

　　“多数情况下，除算力芯片外，45纳米、28纳米工艺基本能够满足需求。若将几颗芯片通过单芯片集成或异构封装，形成新的芯片、产品或系统，其性能将得到提升，如同遵循摩尔定律一般，这便是”超越摩尔“的发展方向。”董业民表示。

　　对此，董业民表示，目前，大学和研究所的很多研发平台采用的是四英寸和六英寸工艺，然而半导体制造主流却是12英寸和8英寸，而4-6英寸与8-12英寸工艺并不完全兼容。为解决这一问题，董业民认为，建立8英寸研发平台成为必要。