10月10日，科创芯片板块在昨日强劲冲高后调整，截至10:38，科创芯片50ETF（588750）新高后回调，放量大跌超4%，盘中成交额超3亿元。资金连续多日跑步进场，科创芯片50ETF（588750）近7日获资金累计净流入超11亿元！
科创芯片50ETF（588750）标的指数成分股多数回调，华虹公司跌超10%，海光信息、中芯国际等跌超6%，中微公司、寒武纪等跌超3%，澜起科技等跌幅居前。
【科创芯片50ETF（588750）标的指数前十大成分股】
科创芯片板块继昨日大涨后今日回调，或是多重因素影响，包括对于个别产业链成份股折算率的调整等。但产业链基本面高景气逻辑不改，短期调整不改长期景气趋势，国信证券指出，半导体行业迎来全面反弹，看好“宏观政策周期、产业库存周期、AI创新周期”三重共振下的估值扩张行情！
技术方面，继今年4月在《自然》提出“破晓”二维闪存原型器件后，复旦大学科研团队又迎来新突破。北京时间10月8日晚，复旦大学在《自然》（Nature）上发文，题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相关成果率先实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片，攻克新型二维信息器件工程化关键难题。
价格方面，过去半年全球存储芯片价格持续上涨。存储厂商美光发出通知，全面停止DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5这些主力非HBM DRAM内存产品报价，暂停期暂定为一周，后续这些品类可能调涨20%~30%。CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5RDIMM价格涨幅约10%~15%。
天风证券此前就指出，涨价持续性+AI强催化+国产化加速，存储板块近期重大机遇，基于：1）Q3Q4存储大板块或持续涨价、2）AI服务器、PC、手机等带动存储容量快速升级+HBM、eSSD、RDIMM等高价值量产品渗透率持续提升拉高板块收入提亮、3）HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高难度高速发展产品国产化率持续提升，国内存储市场进一步加速成长。（来源于天风证券20250702《涨价持续性+AI强催化+国产化加速，重点推荐存储板块机遇》）
【AI驱动新一轮半导体周期】
中信建投认为，算力供应紧张，AI有望引领下一轮周期成长。英伟达芯片放量，下一代芯片即将量产，同时HBM4/4e也将落地，算力硬件快速迭代。AI算力加速了对先进制程、先进封装、先进存储的需求，以GPU、CoWoS/SoIC、HBM、高速PCB、光模块为代表的算力需求持续扩张，供应商大力扩产，预计2025年AI硬件产业维持高景气。建议关注国内自主算力芯片及先进封装标的。（来源于中信建投20251002《半导体产业链投资展望》）
市场上芯片相关指数众多，选取当下热门的科创芯片、半导体等指数进行比较，可以发现，虽然均聚焦为芯片板块，但在指数编制上却大有不同。一句话总结：科创芯片指数聚焦芯片核心环节，“含芯量”更高，弹性强，成长性高。
【科创芯片指数：“含芯量”更高】
从选样空间来看，相比其余指数在全市场范围取样，科创芯片指数选样空间为科创板，而科创板聚焦“硬科技”板块，是A股芯片公司大本营，近3年来芯片上市公司中，平均超九成数量的公司选择在科创板上市，平均市值占比达到96%。
从行业分布来看，科创芯片指数聚焦芯片“高精尖”的上游中游环节，核心环节占比高达95%，高于其他指数。
从调仓频率来看，科创芯片指数选取季度调仓，能更敏捷地反映芯片产业链发展趋势。
【科创芯片指数：成长性更强】
由于科创芯片指数聚焦芯片“高精尖”的上游中游环节，在周期成长与国产替代加速下，展现出较强的成长性。
科创芯片50ETF（588750）标的指数2025年H1净利润增速高达71%，2025年全年预计归母净利润增速高达100%，大幅领先于同类，成长性更强！
【科创芯片指数：向上弹性强】
由于科创芯片指数在科创板选样，具备20cm大长腿，抢反弹更快。特别地，科创芯片指数向上修复弹性在同行业指数中最强，924至今最大涨幅高达186.5%！从夏普比率和最大回撤来看，科创芯片指数不仅风险调整后的收益表现更优，而且走势相对稳健。
看好芯片核心科技，可关注科创芯片50ETF（588750），跟踪复制科创芯片指数，涨跌幅弹性高达20%，覆盖芯片产业链核心环节，高纯度、高锐度、高弹性！低门槛布局科创芯片核心环节，高效把握“新质生产力”大行情，抢反弹快人一步！场外投资者可关注联接基金（A：020628；C：020629），可7*24申赎。
