东微半导认为，氮化镓功率器件正处于从消费电子快充“单点爆发”向多领域扩张的转折期，未来2至3年，在AI服务器电源、新能源汽车、人形机器人、光伏逆变器、工业电源等新兴领域的需求将进入加速放量阶段。

　　基于此判断，东微半导与晶湛半导体的合作将发挥各自优势，采用主流的12英寸CMOS实验线研发12寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12寸硅基氮化镓功率器件的产业化进程，充分挖掘氮化镓材料在高能效、高功率密度方面的潜力，使这一技术为上述应用领域提供更具成本效益和性能优势的解决方案。

　　据介绍，双方的合作项目将分阶段推进，初期专注于基础外延工艺和器件结构工艺平台的搭建与优化，中期目标是在特定应用领域推出原型产品，长期希望建立起完整的12英寸氮化镓技术生态系统，包括材料、设计、制造、封测和应用等全产业链环节。