消息面上，11月5日，SK海力士表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。据报道，HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。

　　在业界看来，AI浪潮下的技术快速演进与广泛应用催生了数据存储需求的爆发式增长，为存储行业注入长期发展动力。华西证券认为，全球存储芯片市场正加速步入一个“超级周期”，多家厂商上调价格，涨价热潮或进一步加剧。此外，外部压力正转化为内部创新动力，推动中国在关键科技领域走向自主可控与产业升级

　　中信证券认为，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%—50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产化替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。

　　而需求端同样一“芯”难求，根据半导体产业协会（SIA）数据，第三季度整体销售额达2084亿美元，较前一季度增长15.8%，9月环比更录得7%的持续动能。协会指出，逻辑和存储芯片表现尤为突出，需求增长主要集中在亚太地区与美洲市场。

　　国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增18%-23%，含HBM的整体DRAM价格环增23%-28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%-10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。

　　ETF方面，A股存储芯片板块再度走强，领跑市场！截至2025年11月6日 13:42，芯片ETF龙头(159801)上涨3.73%，近3月累计上涨36.03%。标的成分股寒武纪上涨8.68%，海光信息上涨7.57%，拓荆科技上涨5.71%，中微公司，中芯国际等个股跟涨。该基金最新份额达59.48亿份，创近半年新高，居同类基金前列。

　　芯片设备ETF(560780)，标的成分股金海通上涨10.00%，艾森股份上涨9.80%，京仪装备上涨6.82%，康强电子，芯源微等个股跟涨。值得注意的是，该基金近期获得资金持续加持，近1周规模增长1020.03万元，份额增长6400.00万份，位居同类榜首。