上证报中国证券网讯（记者韩远飞）11月13日，中国科学院金属研究所发布研究成果，该所张广平研究员团队近期在高功率MEMS开关芯片超长寿命材料领域获得重要进展，成功研制了具有优异性能的纳米晶Ni/Ni-W层状复合材料。

　　据介绍，该研究团队利用自主研发的微小材料超高周疲劳测试系统，对该纳米金属材料的超高周疲劳性能及损伤机制进行了深入研究。研究发现，该材料在109次超高周动态弯曲疲劳加载下的疲劳耐久性显著优于当前主流MEMS开关材料（金及其合金），与规定的门槛值相比，超长周次疲劳耐久性提升约60%。

　　在超高周疲劳加载过程中，Ni-W合金层的纳米晶粒发生转动，使材料获得“自我调节和修复”能力。研究揭示，极端循环载荷下的“纳米孪晶辅助晶粒有限粗化”与“扩散调控化学成分梯度”机制的协同作用，可有效抑制材料循环应变局部化并延缓损伤演变，这为大型高功率射频/微波固态开关及射频继电器芯片的高性能材料设计提供了新原理。目前，该团队已与国内芯片龙头企业合作，成功实现了高性能微悬臂梁材料制备工艺与MEMS工艺的兼容，完成了新型MEMS开关芯片制造技术“从0到1”的突破。