《科创板日报》11月21日讯 科技股抛售卷土重来。今日，韩国股市两大存储龙头大跌，SK海力士股价下跌8.76%，三星电子跌5.77%。A股市场，中韩半导体ETF（513310）单日大跌6.63%。

　　消息面上，SK海力士与三星电子均计划在明年提高部分存储产品的产量。

　　据韩国经济日报报道，韩国内存芯片巨头SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。

　　1c DRAM是一种尖端的通用DRAM，并非用于HBM，而是用于制造最新的通用DRAM，例如 DDR5、低功耗DDR（LPDDR）和GDDR7。AI推理主要依赖于先进的通用DRAM，其能效更高、成本更低。报道称，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。

　　与此同时，该公司即将用于英伟达HBM4的10nm第五代DRAM的产能扩张也在进行中，位于韩国忠清北道清州园区的全新工厂“M15X”将于今年年底投产，该工厂将配备一条1b DRAM生产线，月均进料量为6万片晶圆。

　　鉴于SK海力士在DRAM领域的积极投资步伐，业内人士预测，该公司今年的设施投资额预计约为25万亿韩元，而明年将轻松超过30万亿韩元。

　　随着AI推理需求日益增长，比HBM更具成本效益的尖端通用DRAM的需求水涨船高。

　　据ETNews此前报道，为重夺DRAM市场领导地位，三星计划到2026年底将其10纳米第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到20万片晶圆。

　　除了供给端将来的变化，龙头股价巨震与市场情绪不无关系。尽管英伟达强劲财报一度提振了投资者信心，加之谷歌图像生成模型Nano Banana迎来重磅更新，但市场对人工智能相关股票估值过高的担忧仍在加剧。

　　周四，美股三大指数上演过山车式行情，最终悉数收跌，道琼斯指数跌0.84%，标普500指数跌1.56%，纳斯达克综合指数跌2.15%；大型科技股集体下挫，英伟达跌超3%，AMD跌超7%，甲骨文跌超6%，特斯拉、亚马逊跌超2%，微软跌超1%。