上证报中国证券网讯（记者李兴彩）4月1日，矽赫微科技（上海）有限公司（简称“矽赫微科技，SHW”）在官方微信号宣布完成新一轮融资。本轮融资由元禾璞华领投，合肥产投、哇牛资本、君子兰资本、萨珊资本、曦晨资本、苏高新、东方嘉富以及江苏大摩半导体等众多知名投资机构和产业方参与投资。公司表示，本次融资将重点用于混合键合设备、XOI复合衬底全自动键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W混合键合晶圆表面处理系统等核心设备的国内市场化布局，加速产品产业化落地与客户交付。

　　矽赫微科技成立于2023年，总部位于上海浦东新区，并设有日本研发中心，专注于半导体晶圆永久键合解决方案。公司创始人王笑寒拥有美国20余年先进研究及KLA工作经验，曾担任睿励科学仪器（上海）有限公司总经理；日方团队带头人长田厚出身TEL，在等离子体、键合、清洗等领域经验丰富，曾带领团队成功为海外头部Fab厂交付混合键合设备，还主导刻蚀、硅化、CVD等多款半导体设备开发，具备成熟的高端设备量产落地能力。

　　依托中日整建制团队深度协同形成的独特的研发优势，矽赫微科技具备覆盖等离子活化、清洗、对准、键合、量检测等混合键合设备全流程核心研发能力。公司全球独创的IFB键合技术可实现双片原位高效无损键合，在低应力异质键合领域实现突破。

　　王笑寒表示：“先进封装的核心是互连密度与制造成本的平衡，H-CUT工艺选择亦然。矽赫微科技以三大创新破局：一是中日协同研发，新工艺、新设备周期分别缩短30%、50%；二是联动行业龙头，共建混合键合与Chiplet异质键合平台；三是攻坚国产化发展，打破进口设备技术壁垒。而当我们把键合精度推进到50nm以内，本质上会重构产业链价值分配权。”

　　一个需要提及的背景是，全球半导体产业正加速向3D集成转型，HBM、3D NAND、CIS等产品的先进封装工艺均离不开混合键合技术，且随着产品迭代，对键合精度要求已走到100nm节点。