4月3日晚间，云南锗业发布实施高品质磷化铟单晶片建设项目公告。

　　据披露，公司董事会审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》，同意控股子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资1.89亿元。

　　该项目计划由云南鑫耀在现有厂区租赁厂房，对原有产线进行适应性改造，新增主要工艺设备及公辅设施，在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。项目建设期为18个月，资金来源为自有资金及金融机构贷款。

　　经测算，上述项目内部收益率为49.51%，投资回收期为4.48年（含建设期）。同时，云南锗业提示：项目的经济效益测算是基于当前的市场状况，并不代表公司对该项目的业绩承诺，能否实现受项目的进展情况、宏观经济环境、市场变化及经营团队努力程度等诸多因素的影响，存在一定的不确定性。

　　谈及该次投资的目的，云南锗业阐述，磷化铟单晶片属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有电子迁移率高、抗辐射能力强、导热性好、禁带宽度高和高频光电转换效率优异等诸多优点，主要用于生产激光器、探测器芯片，是应用于数据中心、高速光模块、高功率激光器等领域的关键基础材料。近年来，随着光通信市场需求的快速增长，高速光模块已进入规模化部署阶段，下游厂商对于磷化铟单晶片的需求持续扩大，同时也对尺寸和品质提出了更高要求，公司现有产能已无法满足市场需求。公司拟通过本次项目投资，紧抓产业发展机遇，进一步扩大产能，提高工艺技术水平，加大关键核心技术的研发及成果转化，推动设备优化升级，提升产品质量和生产效率，从而更好地满足持续增长的市场需求。

　　公司认为，项目的实施是在现有产能基础上扩建，不会影响现有生产线的运行，不会对公司正常的生产经营造成重大不利影响。项目的实施能够满足当前客户需求并紧跟未来下游需求的趋势，对促进公司产业向深加工方向转型升级有积极意义，有利于进一步增强企业的核心竞争力和盈利能力，实现公司化合物半导体材料产业的高质量发展。

　　据今年1月30日的业绩预告，云南锗业预计2025年净利润为1500万元—2200万元，同比下降58.57%—71.75%。报告期内，受原材料市场平均价格上涨的影响，使得材料级锗产品、光纤级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）和化合物半导体材料的销售均价及单位成本均较上年同期上升，但单位成本的增长大于销售价格的增长。上述产品的销量、价格以及成本的变动使得公司本期营业收入增加但综合毛利率下降。