4月3日晚，云南锗业公告称，公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“云南鑫耀”）实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。本项目需经国家有关部门批准或备案后方可实施。

　　根据公告，上述项目计划总投资18856万元，由云南鑫耀在现有厂区租赁厂房，对原有产线进行适应性改造，新增主要工艺设备及公辅设施，在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。

　　磷化铟单晶片属于III-V族化合物半导体材料，具有电子迁移率高、抗辐射能力强、导热性好、禁带宽度高和高频光电转换效率优异等诸多优点，主要用于生产激光器、探测器芯片，是应用于数据中心、高速光模块、高功率激光器等领域的关键基础材料。

　　云南锗业表示，近年来，随着光通信市场需求的快速增长，高速光模块已进入规模化部署阶段，下游厂商对于磷化铟单晶片的需求持续扩大，同时也对尺寸和品质提出更高要求，公司现有产能已无法满足市场需求。

　　关于磷化铟的市场竞争格局，云南锗业在近日接受机构投资者调研时表示，目前在全球范围内，日本住友电气工业株式会社、美国AXT等国际知名企业从事磷化铟晶片的生产、销售，且均拥有较强的研发能力、技术储备、销售渠道和市场声誉。云南鑫耀已向下游客户批量化供货，长期保持了良好的合作与互动。

　　云南锗业希望通过上述项目投资，紧抓产业发展机遇，进一步扩大产能，提高工艺技术水平，加大关键核心技术的研发及成果转化，推动设备优化升级，提升产品质量和生产效率，从而更好地满足持续增长的市场需求。