本报讯 （记者李春莲）氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，是支撑Micro－LED微显示技术的核心。然而，如何将氮化镓发光单元与成熟的硅基CMOS驱动电路高效集成，长期制约着AR／VR等近眼显示产品的商业化进程。这一问题本质上涉及不同材料体系之间的三维异构集成能力。近日，这一关键技术瓶颈迎来重要突破。苏州汉骅半导体有限公司（以下简称“汉骅半导体”）宣布，在其“超越摩尔GaN Plus”平台上，成功构建起与8寸CMOS半导体工艺高度兼容的Micro－LED标准工艺量产平台。

　　该平台实现了从氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成到CMOS工艺、微显示器件的全流程链路贯通，呈现出以三维集成为核心的平台化工艺能力，标志着Micro－LED在超高分辨率近眼显示领域的规模化应用迈出关键一步。

　　据了解，此次建成的8寸标准工艺平台，核心在于打通了材料与工艺之间的“异构集成”通道。通过自主研发的晶圆级无损去硅技术，团队实现了8寸硅片上氮化镓薄膜的完整剥离与转移，并在工艺窗口上对标主流8寸CMOS产线标准，使得发光阵列与驱动芯片能够实现晶圆级键合与协同制造。目前，该平台已具备红、蓝、绿等多波长发光结构的工艺能力，支持超高像素密度（PPI）微显示阵列的制备，可满足近眼显示、光互联、数字车灯、AI电源管理等前沿应用对核心器件的需求。平台同时面向产业开放代工与联合开发服务，提供类似半导体工艺设计套件（PDK）的标准化接口，支持从设计、验证到量产的协同创新。