存储涨价与半导体国产化双轮驱动,科创芯片设计ETF易方达(589030)标的指数涨超3%
来源:财联社
截至10:07,上证科创板芯片设计主题指数上涨3.1%,成份股中,海光信息涨超9%,芯朋微、盛科通信-U涨超7%,澜起科技涨超5%。 消息面上,2026年一季度存储芯片价格涨幅远超预期,常规DRAM合约价涨幅从年初预估的55%至60%,一路上调至90%至95%;NAND Flash合约价涨幅也从33%至38%上调至55%至60%。进入二季度,集邦咨询预计DRAM合约价将环比上涨58%至63%,NAND涨势则进一步扩大。 此外,半导体产业整体正进入“量价齐升”的景气周期。AI服务器对高带宽存储需求激增,半导体国产化进程提速,龙头公司一季度营收同比大增,在存储涨价和国产化双轮驱动下,芯片设计企业盈利预期持续上修。 上证科创板芯片设计主题指数聚焦芯片设计领域,数字芯片设计行业占比超75%,模拟芯片设计行业占比近20%,前十大权重股包括澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪等产业链核心标的。投资者可通过科创芯片设计ETF易方达(589030)一键布局芯片产业投资机遇。
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