英特尔上周宣布，将加入马斯克的巨型芯片项目Terafab，参与芯片设计、制造和封装等工序，并帮助Terafab达成年产能一太瓦算力的目标。
虽然这场合作被视为一场双赢，不仅能让Terafab获得芯片制造方面的专业技术和经验，也能让英特尔的芯片代工部门得到新的客户资源，但相较于技术更加成熟的台积电和三星电子，英特尔最终赢得马斯克认可的结果还是在业内引发了一些思索。
而英特尔最新发表的一篇技术文章可能可以解释此次促成合作的关键。在宣布合作关系的当天，英特尔晶圆代工技术研究院高级首席工程师Han Wui Then在社区论坛上发文指出，英特尔在氮化镓芯片上取得了突破性进展。
新突破
据该文章介绍，氮化镓芯片是一种化合物半导体，在高压环境下比硅更稳定。英特尔已经找到一种方法，可以利用标准半导体生产设备在标准的300毫米晶圆上直接生长氮化镓芯片，从而实现低成本生产。
研究人员还采用了一种名为研磨前隐形切割（SDBG）的新型减薄工艺，使英特尔能够制造出硅基底厚度仅为19微米的氮化镓芯片。作为参考，1微米等于百万分之一米，而19微米仅为人类头发丝直径的五分之一。
此外，英特尔还成功将氮化镓功率电子器件和硅逻辑电路集成在同一芯片上，这意味着传统制造工艺中，因功率晶体管体积过大产生大量热量和电噪声而必须将其与逻辑电路分开制成两块芯片的问题被解决，从而进一步缩小了芯片空间，并减少电流损耗。
据英特尔称，这一集成在后续测试中取得了不俗的表现，在高压力条件下仍能正常工作并保持其稳定性。这些技术改进对于Terafab来说意味着可以生产出更轻薄的芯片，从而减轻火箭发射时的重量，从而降低发射成本。
而在芯片本身的性能优化之外，氮化镓芯片还有另一重优势，其比硅芯片更耐辐射，意味着其更适合于太空作业，而Terafab未来的一大应用场景就是太空数据中心。
不过，目前尚不清楚英特尔是会直接授权Terafab使用氮化镓技术，还是会与SpaceX和特斯拉共同在Terafab项目投资发展这一技术。且鉴于Terafab的投资之巨，英特尔与Terafab的未来盈利前景还需要一定时间的检验，人们可能在几年后才能了解这一项目的经济影响。
