科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.59%冲击3连涨,机构看好2026年起国产超节点在AI训推驱动下开启放量
来源:界面新闻
截至2026年4月14日 09:41,上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.91%,科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.59%,冲击3连涨。截至4月13日,科创芯片设计ETF易方达(589030)近1周累计上涨12.51%
截至4月13日,科创芯片设计ETF易方达(589030)近3月规模增长1.66亿元,近3月份额增长1.65亿份,实现显著增长。
消息面上,业内机构指出,全球DRAM平均价格涨幅将从第一季度的70%以上放缓至第二季度的30%-50%,涨幅将因产品而异,其中DDR4的价格涨幅将显著放缓,而DDR5和LPDDR5X仍有增长空间。
华泰证券表示,看好2026年起国产超节点在AI训推驱动下开启放量。2028年国产超节点市场空间有望达到3414亿元,2026年至2028年CAGR为194%。关注超节点核心增量Scale up环节(交换芯片、交换机和铜连接)以及整机柜、液冷、光模块等其他受益环节。
科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数,上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。
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