据《韩国先驱报》今日报道，SK海力士已向其美国存托凭证（ADR）承销团提议将目标上市日期定在6月或7月。

　　据悉，SK海力士正加快相关程序，或推动这家存储巨头于今年年中赴美股上市。上个月，该公司已向美国证券交易委员会（SEC）提交申请，目标是在2026年前推进美国存托凭证（ADR）的上市。

　　ADR是由美国存托银行发行的可转让证券，代表非美国公司在美股市场交易的股份。今年1月，SK海力士注销了价值12.24万亿韩元（约合83亿美元）的库存股，因此预计将以发行新股的形式进行ADR上市。市场分析认为，其目标是尽可能缩短上市周期，以强化在全球投资市场的海外募资力度。

　　据此前报道，SK海力士意图通过赴美上市筹集10万亿至15万亿韩元（约合67至100亿美元）的资金。募资用途为加大人工智能基础设施的建设，比如在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大存储产品的产能。

　　需要注意的是，SK海力士已决定在2030年底前投资21.6万亿韩元（约合147亿美元），用于龙仁半导体集群一期晶圆厂的建设。若计入2024年7月公布的设施投资成本，则该项目总投资额将达到31万亿韩元（约合210亿美元）。SK海力士的战略目标是在2050年前在龙仁投资600万亿韩元（约合4072亿美元），并运营四座晶圆厂。

　　作为存储超级周期的最大受益者之一，过去一年SK海力士股价上涨了565%。但根据今年的盈利预测，证券机构给其的远期市盈率仅在3-4倍左右，与美光（8倍）、闪迪（19倍）等美股存储巨头相比尚有差距。

　　韩国资产管理公司Eugene Asset Management的首席投资官Ha SeokKeun表示：“一旦美国机构投资者通过ADR获取对SK海力士人工智能基础设施的投资渠道，其在高带宽内存（HBM）领域占据的主导地位所应得的合理估值溢价，最终就能在公司的估值中得以体现。”

　　另一方面，SK海力士正对其HBM供应作出调整。其计划降低今年向英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM4）的出货量，预计比原计划减少约20%至30%。业内人士猜测，或是由于英伟达Vera Rubin量产面临困难所致。同时，SK海力士将提高HBM3E或其他服务器级LPDDR的出货量，内存总需求并未减少。

　　关于存储未来景气持续性，中信证券称，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，主观方面，原厂历经周期寒冬后高度克制，资本支出上修主要聚焦2027年后长期基建，新增产能释放时点显著滞后；客观方面，扩产受制于诸多刚性的物理瓶颈，主要包括洁净室建设周期漫长、核心设备交期拉长以及HBM的“产能吞噬效应”。

　　该机构表示，Agent AI时代存力为核心，行业迎长周期范式转移，AI驱动的需求爆发与原厂扩产错位致使缺货常态化，预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026全年。看好存储产业趋势，核心推荐存储原厂及贴近原厂的设计公司；关注存储模组公司，短期业绩爆发能力强。