证券日报网4月17日讯 ，天岳先进在接受调研者提问时表示，公司认为，碳化硅衬底的长期降本不依赖单纯价格竞争，而是以技术迭代与效率提升为核心底层逻辑，主要来自三个维度。大尺寸化结构性降本：通过8英寸、12英寸产品升级，单片衬底可切割的芯片数量成倍增长，从根本上降低单位芯片的衬底成本。全流程工艺优化降本：持续提升晶体生长良率、加工良率与设备稼动率，推进长晶炉等核心设备的国产化替代，以技术进步对冲原材料与能源成本波动。规模化精益制造降本：依托上海、山东等基地的产能逐步释放，摊薄单位固定成本，同时通过精细化运营优化供应链管理，实现全产业链的成本协同。2025年公司已通过上述措施有效对冲了部分行业价格下行压力，未来随着8英寸产能的规模化释放，成本优势将进一步凸显。