证券日报网讯 4月17日，时代电气在互动平台回答投资者提问时表示，公司拥有一条6英寸SiC芯片产线，具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能，株洲8英寸SiC产线已于2025年底拉通，进入爬产阶段。当前SiC第三代精细平面栅产品已实现批量交付，技术水平行业主流；第四代沟槽栅2025年已完成定型，达行业先进水平；第五代SiC技术预计将于2026年完成布局。目前SiC重点产品包括3300VSiC MOSFET、1200VSiC MOSFET，1200V SBD等，其中1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。公司SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级，可广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源汽车、新能源发电等领域。公司SiC SBD产品在光伏领域稳定批量供货，SiC MOSFET产品在汽车主驱、OBC、电源检测等领域批量供货，交付量持续攀升。