三星电子推进HBM研发,芯片设计转向AI导向,科创芯片ETF国泰(589100)冲击3连涨
来源:界面新闻
截至2026年4月20日早盘收盘,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.24%,成分股翱捷科技上涨11.04%,乐鑫科技上涨9.19%,沪硅产业上涨7.78%,华润微,华虹公司等个股跟涨。科创芯片ETF国泰(589100)上涨1.21%,冲击3连涨。最新价报1.75元。
流动性方面,科创芯片ETF国泰盘中换手3.16%,成交1772.51万元。拉长时间看,截至4月17日,科创芯片ETF国泰近1周日均成交2594.24万元。
消息面上,三星电子正全力推进其下一代高带宽内存(HBM)产品的研发进程,力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露,三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前,让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。
招商证券认为,芯片设计产业正从“通用性能导向”转向“AI场景定义”,AI算力需求是核心增长引擎。具备全栈算法优化能力、垂直应用理解力及快速量产交付力的设计企业将率先兑现成长红利。
截至4月17日,科创芯片ETF国泰近6月净值上涨17.64%,居可比基金前3。从收益能力看,截至2026年4月17日,科创芯片ETF国泰自成立以来,最高单月回报为34.67%,最长连涨月数为4个月,最长连涨涨幅为72.96%,涨跌月数比为7/5,上涨月份平均收益率为12.17%,历史持有1年盈利概率为100.00%。
数据显示,截至2026年3月31日,上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司,前十大权重股合计占比60.99%。
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