芯联集成:碳化硅嵌入式方案是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术
来源:证券日报
证券日报网4月21日讯 ,芯联集成在接受调研者提问时表示,碳化硅嵌入式方案,是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术,相比传统封装具备更低寄生电感、更高功率密度和更好散热性能,能显著提升系统效率与功率密度。主要面向车载高压电驱、AI服务器电源等高端场景。嵌入式SiC目前主要难点在于:材料热膨胀差异大易产生应力失效,高压下绝缘与局部放电控制难度高,封装工艺复杂、良率与成本控制压力大等;嵌入式SiC产业化需要终端客户、PCB厂商、封装和芯片厂商的深度联合开发。从节奏来看,预计嵌入式碳化硅模块将在2027年前后迎来量产应用的新阶段。公司从市场需求出发,持续开发嵌入式核心芯片工艺和嵌入式方案,保证技术领先性。开发更加适配嵌入式的新型芯片设计和工艺,以及嵌入式的新材料研发。目前公司嵌入式SiC方案正在送样验证中。对产品业务而言,SiC嵌入式方案对于集成化提出挑战,公司深度配合市场需求,夯实芯片基础,开发更适配嵌入式方案的芯片、子单元和模块,加速嵌入式主驱上车市场化和量产化。
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