截至2026年4月21日收盘，科创芯片ETF国泰(589100)下跌1.31%，跟踪指数上证科创板芯片下跌1.25%。盘中换手3.79%，成交2063.88万元。
消息面上，台积电已启动12英寸SiC衬底交付，明年需求预期翻倍；随着英伟达GPU功率从H100的700W跃升至Feynman架构的4400W，传统硅中介层散热瓶颈凸显，SiC凭借约490 W/m·K的热导率（为硅的3倍）成为关键升级方向，其在CoWoS-S/L中的渗透将为衬底厂商打开先进封装第二增长曲线。华鑫证券指出，先进封装散热革新正驱动材料体系升级，SiC中介层有望成为高算力芯片规模化落地的重要支撑环节。
国信证券指出，AI算力基建正从“芯片—光模块—PCB—电子树脂”全链路传导高景气，电子树脂作为覆铜板核心原料，受上游溴素等关键原料涨价及下游AI服务器PCB高端化双重驱动，供需偏紧格局有望延续。
银河证券强调，科创芯片的驱动逻辑正从政策催化转向技术实证。谷歌等巨头的开源模型加速了端侧AI与自主芯片的融合落地，为芯片设计、IP及先进封装企业打开了明确的增量空间。
截至4月20日，科创芯片ETF国泰近6月净值上涨19.00%，排名可比基金前3，指数股票型基金排名793/4500，居于前17.62%。从收益能力看，截至2026年4月20日，科创芯片ETF国泰自成立以来，最高单月回报为34.67%，最长连涨月数为4个月，最长连涨涨幅为72.96%，涨跌月数比为7/5，上涨月份平均收益率为12.17%，历史持有1年盈利概率为100.00%。
数据显示，截至2026年3月31日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司，前十大权重股合计占比60.99%。
