台积电表示，芯片需求将持续保持强劲，预计2026年资本支出将达520亿至560亿美元区间的高位，以美元计的全年营收增幅将超30%。此外，Intel和AMD已通知客户，将全系列服务器CPU上调价格，交货周期显著延长。2月以来CPU普遍涨幅在10-15%。AMD多次强调26年CPU已全面售罄，未来3-5年内数据中心业务年增长率或超60%，短期内需求没有任何放缓或停止的迹象。

　　受此消息催化，科创芯片ETF（588290）今日上涨2.37%。重仓股中，寒武纪-U上涨0.53%、海光信息上涨2.63%、中芯国际上涨0.38%。截止上个交易日数据，该基金15日累计涨幅18.09%，动能强劲。该ETF的管理费仅为0.15%，托管费0.05%，是全市场跟踪同一指数中费率最低的产品。对于长期投资者而言，低费率意味着更多的收益留存，成本优势显著。

　　全球芯片产业链正面临结构性变革，存储芯片短缺持续加剧，美光科技等企业预测紧缺状况将延续至2026年后，HBM存储芯片年增长率预计超40%。

　　存储芯片价格持续上涨，行业产值创历史新高，2026年存储器产值预计同比激增134%，三星电子已在第一季度将NAND闪存价格上调超100%，且涨价势头预计延续。DRAM和NAND Flash的价格涨跌幅区间为5.95%-63.43%，存储涨价效应从AI扩散到其他领域，在供给持续收缩趋势下，存储价格涨势仍将持续。

　　从具体芯片类型来看，HBM与高端DRAM成为存储厂商盈利增长核心。SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍，驱动整体业绩创新高；三星电子HBM4芯片已通过英伟达、AMD认证，将于1Q26开始交付。HBM作为AI服务器的核心配套器件，成为头部厂商的业绩增长支柱，AI相关DRAM与NAND产品销量有望持续扩大。

　　目前，中国正积极应对这一趋势，深圳市发布人工智能服务器产业链发展计划，明确支持存储芯片研发及先进封装技术攻关，构建适配大模型训练的高端存储供应体系。