台积电在当地时间4月22日举办的2026年北美技术论坛上透露了旗下A13（等效1.3nm）和A12（等效1.2nm）等不同制程产品的推出时间表。

　　不过，台积电高管在谈到所使用的光刻机时，表示目前还不需要用到阿斯麦的最新高数值孔径极紫外光刻机(High-NA EUV)，因为研发团队找到了扩展技术的办法，并且High-NA EUV非常贵，这类设备单台价格超过3.5亿欧元。

　　在不需用到阿斯麦最新High-NA-EUV光刻机的情况下，台积电计划继续推进制程迭代。2025年，台积电发布A14（等效1.4nm）制程技术，预计相关产品于2028年量产。此次台积电则推出了新一代A13制程，该制程计划2029年投产，面向下一代AI、HPC（高性能计算）需求。台积电表示，A13相比A14可节省6%的面积，设计规则与A14相容。

　　台积电还预告了A12制程，相关产品采用了超级电轨（Super Power Rail）技术，为人工智能及高性能运算应用提供背面供电方案，该制程预计2029年进入生产。A13和A12是A14的衍生产品。

　　此外，台积电在N2平台技术的基础上推出了N2U，预计N2U于2028年开始生产。台积电表示，公司继续用N2U扩展2nm平台。

　　2024年公布的A16（等效1.6nm）制程，台积电则预计在2027年量产，比此前预计的量产时间晚了1年。台积电此次介绍，A16将是台积电第一代使用超级电轨技术的产品，在A12之前就使用该技术。

　　先进制程此前已贡献了台积电的主要收入来源。今年第一季度，台积电净利润5725 亿元新台币，同比增长58.3%，该季度台积电来自先进制程的收入占比74%。台积电董事长魏哲家表示，第一季度收入增长受到先进制程强劲需求的推动。

　　为了支撑先进制程产品生产，台积电正在执行一项全球产能扩张计划。台积电近日预计，今年的资本支出将处于此前指引的上端，即接近560亿美元。3nm方面，台积电位于台南的工厂将增加3nm工艺生产能力，位于美国亚利桑那州的工厂和在日本的第二座工厂也将生产3nm产品。2nm工艺的研发生产则预计从今年下半年开始稀释台积电的毛利率。

　　其他晶圆厂中，英特尔也在推进先进制程研发和生产。今年1月，英特尔发布第三代酷睿Ultra处理器，该系列芯片采用英特尔18A（等效1.8nm）制程制造。

　　在先进封装方面，台积电此次则公布了部分生产计划。台积电表示，目前公司正在生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并规划更大尺寸的版本。一个14倍光罩尺寸的CoWoS将能整合约10个大型运算晶粒和20个高带宽内存（HBM）堆叠，预计相关产品于2028年开始生产。2029年，台积电计划推出超过14倍光罩尺寸的CoWoS，并推出40倍光罩尺寸的SoW-X系统级晶圆技术。

　　在数据中心传输方面，台积电则表示，紧凑型通用光子引擎将在基板上使用，实现光电共封装（CPO），相关解决方案将在今年开始生产，相比电路板上的可插拔方案，该技术的功耗效率提升2倍，延迟减少90%。