新华财经上海4月27日电（记者魏雨田）4月27日，科创芯片设计板块盘中强势拉升，新华财经数据显示，其收盘涨幅达到3.82%。自4月以来，科创芯片设计板块累计涨幅已达26.6%，阶段性领跑科技相关赛道。

　　国联安基金分析认为，本轮科创芯片设计板块持续走强，并非单一因素驱动，而是全球供给收缩、行业景气反转、国产算力技术突破三重核心逻辑共振，叠加海外市场正面情绪传导，共同吸引增量资金集中布局，带动板块行情持续走高。其中，全球氦气供应链持续收紧、资源端供给格局趋于收缩，成为当日板块快速冲高的直接利好催化。

　　从中长期投资视角来看，国联安基金表示，AI算力需求全面爆发叠加芯片领域国产替代进程全面提速，筑牢科创芯片设计板块上行根基，进一步推升科创芯片设计板块估值。产业端利好密集落地，4月24日DeepSeek-V4预览版正式上线开源，实现与国产算力芯片深度适配。随着大模型推理Token消耗量指数级增长，国产通用处理器（CPU）、图形处理器（GPU）及产业链核心企业迎来估值重估机遇。同时，国产GPU领域领军企业近期业绩亮眼，商业化落地成效显著，其业绩爆发与技术突破，印证国产芯片设计成长潜力，推动板块估值提升。

　　外部市场层面，国联安基金认为，海外科技芯片板块同步延续强势走势，持续强化A股芯片赛道赚钱示范效应。外围利好行情快速传导至国内资本市场，激发场内资金FOMO（错失恐惧）情绪，增量资金持续扎堆科创芯片设计等高弹性核心赛道，同步带动相关主题ETF净值快速走高，板块短期活跃度与资金承接力度同步提升。