不同于以往周期的温和复苏，本轮存储涨价呈现出供给刚性约束下的快速上行态势。2026 年一季度 DRAM 合约价涨幅已上调至 90%-95%，接近翻倍；NAND Flash 合约价涨幅亦上调至 55%-60%。三星、SK 海力士等头部大厂将产能优先倾斜至高毛利 HBM 产品，持续挤压消费级、通用型存储产能，进一步放大供需错配格局，强化行业景气度上行逻辑。

　　在外围龙头业绩高增、行业周期上行趋势明确、存储价格持续暴涨的多重利好共振下，科创芯片设计ETF国联安（588780）依托芯片设计核心赛道属性，充分受益本轮半导体行业复苏行情，同步迎来日内显著上涨。