8月7日，SK海力士宣布，公司将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂（Fab），以应对AI时代持续增长的存储器需求。当天，公司董事会决议通过，在龙仁“Y2”和清州“M17”晶圆厂建设项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元，合计投资约54万亿韩元。

　　此前，SK海力士宣布计划向龙仁半导体集群投资600万亿韩元、向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁首座晶圆厂（Y1）建设正有序推进，此次投资决定标志着龙仁和清州两地后续晶圆厂建设都启动。

　　据市场调研机构Omdia预测，从2025年至2030年，DRAM和NAND闪存市场需求年均增速将达19%。SK海力士表示，这并非一时的行业景气，而是源于存储器已从普通的零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。

　　SK海力士表示：“在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势。能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。”

　　此前，SK海力士已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圆厂的全部建设。此次Y2建设即为支撑该目标的第二阶段关键举措，投资将分阶段实施至2031年10月。

　　随着AI服务加速普及，NAND闪存需求正以企业级固态硬盘（eSSD）为核心快速增长。同时，AI推理过程中的KV缓存*需求进一步增加，叠加代理式（Agentic）与物理（Physical）AI应用逐步落地，NAND闪存的应用场景有望进一步拓展。