财联社8月7日讯（编辑周子意）SK海力士公司周五（8月7日）宣布，为应对人工智能时代对存储器需求持续增长，决定在龙仁和清州建设新的晶圆厂。

　　该公司在董事会会议上批准了总投资额约54.35万亿韩元（约合382.97亿美元）扩张计划，其中包括2031年10月31日前在龙仁半导体产业园投资35.2万亿韩元（约合248.09亿美元）建设龙仁“Y2”工厂，以及2031年4月30日前在清州“M17”工厂投资19.1万亿韩元（134.66亿美元）。

　　这一决定标志着公司去年6月宣布的中长期投资战略开始实施。

　　备战一场“结构性转型”

　　根据其总体规划，SK海力士计划在龙仁半导体产业集群投资600万亿韩元，并将清州生产基地扩建100万亿韩元。

　　目前，SK海力士正在龙仁建设其首个晶圆厂（Y1）。而伴随此次最新决策，公司正着手在龙仁和清州陆续建设后续的晶圆厂。

　　据市场研究机构Omdia预测，从去年到2030年，DRAM和NAND的市场需求预计将以19%的复合年增长率（CAGR）持续增长。

　　SK海力士公司认为，这种增长并非短暂的超级周期，而是一场结构性转型，内存不再仅作为普通组件存在，而是成为决定人工智能性能的核心基础设施。

　　该公司还表示，在人工智能时代，仅靠技术竞争力已不足以应对挑战，而能够在客户需要的精确时刻提供所需数量的产品，才是最终的竞争优势，“我们经过对市场需求的全面评估后，才做出了此项投资决策。”

　　龙仁Y2工厂

　　龙仁Y2是SK海力士龙仁半导体园区计划依次建设的四座晶圆厂中的第二座。将作为DRAM生产基地，总占地面积达34.1万平方米（约1,130,000平方米），工程预计于明年7月开工，目标是在2029年6月启用首个洁净室，用于生产高带宽内存（HBM）及其他下一代DRAM产品。

　　SK海力士此前设定目标，将龙仁半导体园区的完工日期提前12年——从原定的2045年推迟至2033年——以完成全部四座工厂的建设。也就是说，Y2阶段的建设是支持这一加速计划的第二阶段。

　　SK海力士最新批准的这笔投资将分阶段进行，依次覆盖至2031年10月。投资金额将包括为Y2员工提供行政及福利设施的“商务支持大楼”建设费用、整合产品开发测试、分析与实验的“综合研发中心”，以及辅助基础设施建设。

　　清州M17工厂

　　SK海力士选择清州作为其新的NAND晶圆厂基地，是因为该地拥有最快的工厂建设周期。

　　清州园区已建有M11、M12和M15三条生产线，可与现有设施高效联动，并依托已具备完善电力和供水基础设施的场地开展生产。

　　清州M17工厂将占地面积达20.6万平方米（约68万平方米），预计于明年2月动工，计划在2028年12月启用首个洁净室。根据总体规划，该项目投资期将持续至2031年4月。

　　SK海力士计划根据与客户讨论的中长期需求，主动保障生产基础设施，并在满足客户需求的时间节点上同步扩大实际产能。工厂将按照主进度表建设，而洁净室扩建和设备安装则将根据需求趋势依次进行，以最大化资本利用效率。

　　该公司预计此项投资将为未来增长奠定基础，同时增强国内半导体生态系统的竞争力，并促进地方经济发展。